據(jù)臺(tái)灣媒體《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道，臺(tái)積電21日發(fā)布2019度年報(bào)，在先進(jìn)制程及先進(jìn)封裝等技術(shù)研發(fā)上已有明顯突破。臺(tái)積電今年除了5奈米進(jìn)入量產(chǎn)、3奈米持續(xù)研發(fā)外，今年會(huì)加快2奈米研發(fā)速度。另外，臺(tái)積電看好整合型扇出（InFO）等先進(jìn)封裝保持強(qiáng)勁成長(zhǎng)，今年投入包括系統(tǒng)整合芯片（SoIC）等3D先進(jìn)封裝技術(shù)開(kāi)發(fā)，以提供業(yè)界系統(tǒng)級(jí)解決方案。

　　臺(tái)積電去年5奈米制程（N5）進(jìn)入試產(chǎn)并在今年進(jìn)入量產(chǎn)，可望拓展客戶(hù)的產(chǎn)品組合，并且隨著客戶(hù)尋求建立其產(chǎn)品領(lǐng)導(dǎo)地位時(shí)擴(kuò)大潛在市場(chǎng)。

　　臺(tái)積電在年報(bào)中指出，雖然半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逼近硅晶的物理極限，N5制程仍遵循摩爾定律，3奈米（N3）制程技術(shù)大幅提升芯片密度及降低功耗并維持相同的芯片效能，去年的研發(fā)著重于基礎(chǔ)制程制定、良率提升、晶體管及導(dǎo)線(xiàn)效能改善以及可靠性評(píng)估，今年將持續(xù)進(jìn)行N3制程技術(shù)的全面開(kāi)發(fā)。

　　臺(tái)積電去年領(lǐng)先半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行2奈米（N2）制程技術(shù)的研發(fā)，在關(guān)鍵的微影技術(shù)上開(kāi)始進(jìn)行N2以下技術(shù)開(kāi)發(fā)的先期準(zhǔn)備。年報(bào)中指出，N5技術(shù)已經(jīng)順利移轉(zhuǎn)，針對(duì)N3技術(shù)的開(kāi)發(fā)，EUV微影技術(shù)展現(xiàn)優(yōu)異的光學(xué)能力與符合預(yù)期的芯片良率。臺(tái)積電今年將在N2及更先進(jìn)制程上將著重于改善EUV技術(shù)的質(zhì)量與成本。

　　臺(tái)積電藉由無(wú)縫整合的前段晶圓制程與后段芯片封裝，提供先進(jìn)封裝解決方案，實(shí)現(xiàn)了晶圓級(jí)制程的系統(tǒng)整合，去年推出第五代InFO解決方案支持行動(dòng)裝置及高效能運(yùn)算產(chǎn)品，CoWoS（基板上晶圓上芯片封裝）技術(shù)持續(xù)更大尺寸中介層的異質(zhì)整合。臺(tái)積電開(kāi)發(fā)SoIC先進(jìn)封裝技術(shù)，是領(lǐng)先業(yè)界的3D芯片堆棧解決方案，能夠整合多個(gè)非常鄰近的芯片并提供最佳的系統(tǒng)效能。

　　臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音及總裁魏哲家在致股東報(bào)告書(shū)中指出，今年國(guó)際間貿(mào)易緊張局勢(shì)造成總體經(jīng)濟(jì)的不確定性持續(xù)存在，臺(tái)積電將保持靈活的應(yīng)變能力，致力于業(yè)務(wù)的基本體質(zhì)，進(jìn)一步加速技術(shù)的差異化。臺(tái)積電是“大家的晶圓技術(shù)產(chǎn)能提供者”（everyones　foundry），公平且公正的對(duì)待所有客戶(hù)，會(huì)盡全力保護(hù)智慧財(cái)產(chǎn)，秉持最高的誠(chéng)信正直原則經(jīng)營(yíng)業(yè)務(wù)，并且堅(jiān)守技術(shù)領(lǐng)先、卓越制造、客戶(hù)信任的三位一體競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。