臺海網(wǎng)11月10日訊 據(jù)廈門日報報道  在廈門火炬高新區(qū)，有這樣一種“黑科技”，它能夠讓你的智能手機(jī)反應(yīng)速度更快、電池使用時間更長。這，就是化合物半導(dǎo)體。高新區(qū)企業(yè)廈門市三安集成電路有限公司在國內(nèi)率先建成了6吋化合物半導(dǎo)體的量產(chǎn)線和代工線，從而打破了國外廠商的壟斷。目前，該公司已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了對國內(nèi)手機(jī)品牌的小規(guī)模供貨，明年有望參與到國際一線市場的競爭中。

　　體積變小 性能卻更快更高
　　所謂化合物半導(dǎo)體材料，是指砷化鎵、氮化鎵、碳化硅等有別于第一代硅半導(dǎo)體的二、三代半導(dǎo)體。通俗地說，應(yīng)用這些半導(dǎo)體材料，不僅可以提高能源轉(zhuǎn)換效率，還能加快反應(yīng)速度，并大幅縮小電路體積。
　　廈門三安集成電路公司副總經(jīng)理?xiàng)罱〗榻B，不僅是手機(jī)，化合物半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍相當(dāng)廣泛，而且大都是市民們平常能接觸的領(lǐng)域:WiFi電路、通訊基站、物聯(lián)網(wǎng)，或者電源管理、電動汽車等方面。
　　比如，筆記本充電線上，往往還帶有一塊不小的適配器，如果使用高效率的氮化鎵、碳化硅高功率半導(dǎo)體器件，它們有希望變小從而鑲嵌進(jìn)筆記本主機(jī)中；電動汽車也一樣，使用后不僅提高電池壽命，實(shí)現(xiàn)電能損耗最小化，還可以使相關(guān)組件尺寸縮小，降低重量。
　　自主技術(shù)領(lǐng)先 將打破國際壟斷
　　目前，化合物半導(dǎo)體集成電路以砷化鎵和氮化鎵材料為主，市場幾乎由國外公司掌控，國內(nèi)僅少數(shù)幾家科研院所在進(jìn)行研發(fā)和少量生產(chǎn)，且主要供應(yīng)國內(nèi)軍品使用。
　　“我們在國內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，將打破這種壟斷局面。”楊健介紹說，三安集成電路生產(chǎn)線從2014年10月才開始動工建設(shè)，在不到兩年的時間內(nèi)已經(jīng)初步具備了在國際競爭的實(shí)力。
　　據(jù)了解，三安集成電路的專家團(tuán)隊(duì)主要來自美國、日本等地，多名成員還與國外射頻大廠共同參與了蘋果、三星等手機(jī)方案設(shè)計，自主技術(shù)處于國際先進(jìn)水平。
　　如今，三安集成電路6吋晶圓月產(chǎn)能已達(dá)4000片，并開始少量供貨國內(nèi)品牌手機(jī)廠商。而在全面達(dá)產(chǎn)后，月產(chǎn)能將達(dá)到3萬片，可以占到全球砷化鎵集成電路芯片25%的市場需求。

【企業(yè)名片】
　　廈門市三安集成電路有限公司位于廈門火炬（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)，項(xiàng)目總規(guī)劃用地281畝，總投資額30億元，該項(xiàng)目為我省2014-2018重大工業(yè)項(xiàng)目、廈門市2015年重點(diǎn)項(xiàng)目，屬國家扶持的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，新建砷化鎵和氮化鎵外延片生產(chǎn)線，以及適用于專業(yè)通訊微電子器件市場的砷化鎵高速半導(dǎo)體芯片與氮化鎵高功率半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線。
　　公司擁有高可靠度制程技術(shù)與完整芯片代工制造服務(wù)經(jīng)驗(yàn)，聚焦微波集成電路與功率器件兩大市場領(lǐng)域的高端技術(shù)發(fā)展。