臺海網(wǎng)1月23日訊 據(jù)大田縣融媒體中心報道   近日，江蘇省人民政府網(wǎng)站發(fā)布《省政府關于2020年度江蘇省科學技術獎勵的決定》。決定授予中國工程院院士、中國電子科技集團公司第十四研究所教授賁德和中國科學院院士、南京大學教授鄭有炓2020年度江蘇省科學技術突出貢獻獎。

【院士簡介】

鄭有炓，男，漢族，1935年10月出生于福建省大田縣，1953-1957年就讀南京大學，57年畢業(yè)于我國首屆五校聯(lián)合半導體專業(yè)，1984年被受國家委派參加首批中美凝聚態(tài)物理合作研究計劃（1984-86）。自1957年至今一直在南京大學從事半導體材料與器件的教學科研工作，2003年當選中國科學院院士。研究成果獲2003年國家自然科學二等獎、2016年度國家技術發(fā)明二等獎、1999年度國家技術發(fā)明三等獎等國家和省部級科技獎共10項。

鄭有炓院士在半導體異質結構材料與器件研究上，帶領團隊做出了系統(tǒng)性和創(chuàng)造性的突出貢獻：倡導并推動我國第三代半導體的研究和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，帶領團隊突破了一系列氮化鎵生長關鍵技術，實現(xiàn)我國氮化物半導體生長設備零的突破，首次研制出GaN基微波異質結構器件材料并與中電55所合作研制出我國首支GaN基微波功率器件，實現(xiàn)國內(nèi)第一塊2吋氮化鎵自支撐襯底，發(fā)展了氮化鎵LED新技術，引領了紫外探測與成像技術， 推動我國第三代半導體研究及產(chǎn)業(yè)躋身于國際前列，為我省固態(tài)照明和第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展作出了重大貢獻；作為鍺硅異質結構研究先行者，發(fā)明快速輻射加熱超低壓CVD原子級外延方法，制備出高質量鍺硅應變層超晶格量子阱異質結構材料，創(chuàng)新研制出第一支高響應度鍺硅紅外探測器和國內(nèi)第一支鍺硅異質結晶體管；作為硅納米結構及器件研究的開拓者，發(fā)明精準定位硅納米線制備新方法，研制出超細溝道納米點MOSFET，以科技創(chuàng)新支撐摩爾定律下信息器件的持續(xù)發(fā)展。

鄭有炓院士在人才培養(yǎng)與學科建設上兢兢業(yè)業(yè)，身先示范，立德樹人，培養(yǎng)造就了一支充滿創(chuàng)新活力的學術團隊，包括6位長江特聘教授、8位國家杰青、6位國家973計劃（重點研發(fā)專項）首席科學家，以及2個國家基金委創(chuàng)新群體和1個科技部創(chuàng)新團隊，獲江蘇省教育系統(tǒng)先進工作者等稱號；他不忘初心、堅韌不拔，面向國家重大需求，年過八旬依然奮戰(zhàn)科教第一線，致力指導第三代半導體的發(fā)展，為我國半導體材料與器件的科研攻關再闖新路、再求突破、再攀高峰。（來源：大田縣融媒體中心）