據(jù)美國(guó)世界新聞網(wǎng)8月27日?qǐng)?bào)道，臺(tái)灣“高等檢察署”偵辦臺(tái)積電2納米核心關(guān)鍵技術(shù)竊密案，查出臺(tái)積電前工程師陳力銘跳槽到日企東京電子公司后，為獲取“蝕刻機(jī)臺(tái)”量產(chǎn)測(cè)試數(shù)據(jù)，通過(guò)時(shí)任臺(tái)積電工程師吳秉駿、戈一平竊取參數(shù)配方。檢方27日根據(jù)違反“安全法”、營(yíng)業(yè)秘密等罪，起訴以上3人。
據(jù)報(bào)道，由于陳力銘、吳秉駿、戈一平涉“核心關(guān)鍵技術(shù)營(yíng)業(yè)秘密之域外使用罪”，檢方分別求處7至14年重刑，3人在押，且均認(rèn)罪，下周將移審至臺(tái)灣“智慧財(cái)產(chǎn)與商業(yè)法院”。
檢調(diào)認(rèn)定，陳力銘翻拍、復(fù)制臺(tái)積電核心技術(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)、流程圖文件共14張。檢方認(rèn)定，陳力銘應(yīng)執(zhí)行有期徒刑14年，吳秉駿應(yīng)執(zhí)行有期徒刑9年，戈一平應(yīng)處有期徒刑7年。
來(lái)源：參考消息網(wǎng)
