【延伸閱讀】從無到有！日媒：中國芯片產(chǎn)業(yè)將有重大突破

參考消息網(wǎng)11月22日報道 日本《日經(jīng)亞洲評論》雜志網(wǎng)站11月20日報道稱，北京推動技術自給自足的努力即將取得重大突破。知情人士告訴《日經(jīng)亞洲評論》記者，中國新興芯片產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)量有望在2020年底占到全球存儲芯片總產(chǎn)量的5%左右，而這一占比在去年還幾乎為零。

報道稱，在過去幾年里，將人工智能作為戰(zhàn)略重點的北京投入了數(shù)以十億計美元，從零開始建立一個能夠獨立發(fā)展的半導體產(chǎn)業(yè)。

據(jù)報道，生產(chǎn)NAND閃存芯片的長江存儲科技有限責任公司預計，到明年年底，它投資240億美元（1美元約合7元人民幣）新建的武漢工廠的產(chǎn)量將增加兩倍，達到每月6萬片，占全球產(chǎn)量的5%。與此同時，長鑫存儲技術有限公司在合肥投資80億美元所建工廠的DRAM芯片產(chǎn)量將增加三倍，達到每月4萬片，占世界DRAM產(chǎn)量的3%。

目前，NAND閃存和DRAM芯片——中國以前都沒有生產(chǎn)過——的全球產(chǎn)量均為每月130萬片左右。這兩個市場都由美國、韓國和日本的制造商所主導，比如三星電子、SK海力士、美光科技和鎧俠（原東芝存儲器公司）。

報道稱，據(jù)一位了解兩個項目進展的人士說：“中國的這兩個項目現(xiàn)在都還是小規(guī)模生產(chǎn)，但質量在不斷提高。”他說：“從現(xiàn)在到明年，它們肯定都將擴大產(chǎn)量。”

長江存儲拒絕就產(chǎn)出水平發(fā)表評論，只說它已于今年9月開始生產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，并將根據(jù)公司的計劃提高產(chǎn)量，但沒有對這些計劃予以具體說明。長鑫存儲也拒絕置評。

NAND閃存芯片的年市場規(guī)模為560億美元，DRAM芯片的年市場規(guī)模為950億美元，它們是從智能手機、數(shù)據(jù)中心服務器到自動駕駛汽車在內(nèi)的一系列設備中必不可少的存儲部件。

消息人士說，長江存儲的NAND閃存芯片已經(jīng)接到了一些國際和國內(nèi)大型企業(yè)的訂單，比如聯(lián)想集團就計劃在其銷往國內(nèi)外的電腦中都使用長江存儲的芯片。

長江存儲說，它預計其芯片將應用于各種用途。該公司說：“作為一家全球創(chuàng)新存儲產(chǎn)品供應商，長江存儲的目標是服務于全球市場。”

報道援引臺灣光寶科技股份有限公司的一位高管的話說：“這是中國的一個里程碑。”他指出：“與三星電子、SK海力士和東芝存儲（現(xiàn)鎧俠控股）等大公司相比，長江存儲的出貨量可能看起來微不足道。但中國是一個真正的競爭者，因為它的營利理念與眾不同。”該公司與長江存儲的母公司清華紫光聯(lián)合成立了合資企業(yè)。

（2019-11-22 12:51:03）